三星电子于2026年5月29日开始向全球主要客户出货其12层HBM4E高带宽存储芯片的样品，以推进下一代AI加速器内存的应用和验证 [1, 2, 3, 4, 5]。

该芯片采用12层垂直堆叠的DRAM设计，容量达48GB，比上一代HBM4提升约30%，数据传输速度最高可达16Gb/s，较HBM4提升超过20% [2, 3, 4, 5]。三星表示，HBM4E在能效方面提升16%，热阻降低超过14%，通过第六代10nm级DRAM工艺和4nm逻辑晶圆代工技术实现高性能与节能的平衡 [3, 4, 5]。

今年2月，三星已开始量产6层HBM4芯片并向市场供应，随后4月竞争对手SK海力士宣布将在2027年批量生产HBM4E芯片，且计划2026年下半年开始出样 [6, 7, 3, 4]。三星此番提前出样意在快速完成客户验证，争取批量订单，力图在AI内存市场中抢占有利位置，以应对SK海力士和美光等竞争[f1,s1,s3,s5,s7]。

据市场数据显示，截至2025年第四季度，SK海力士占据约57%全球HBM市场份额，三星占22%，美光占21% [4]。KB证券研究主管Jeff Kim指出，若三星HBM4E芯片顺利通过客户验证，依靠其庞大产能，有望打破原先以SK海力士和美光为主的供应格局，促使市场格局向SK海力士和三星并驾齐驱转变 [4]。

三星执行副总裁兼内存开发负责人黄相俊表示：“通过先进制造能力和先发投入的基础设施，我们将持续推动全球AI内存市场增长” [2]。

该消息发布后，三星电子股价在韩国及全球市场早盘上涨超过6.5% [2, 4, 5]。三星计划根据客户需求，未来推出8层32GB及16层64GB等不同规格的HBM4E产品，以满足多样化应用需求 [2, 3, 4]。