韩国半导体巨头SK海力士宣布计划于2026年7月10日在美国纳斯达克交易所发行美国存托凭证（ADR），通过此次发行筹集约45.45万亿韩元（约合290亿至294亿美元） [1, 2, 3]。公司计划此次发行约1779万股新股，以支持筹资目标 [2, 3, 4, 5]。
SK海力士透露，募集资金将主要用于在韩国龙仁新建晶圆厂、忠州先进封装厂以及购买包括极紫外光（EUV）光刻机在内的先进芯片制造设备 [2, 3, 4, 6, 7]。公司在一份声明中称：“我们计划发行新股，并于7月10日在纳斯达克上市美国存托凭证，以筹集最高45.45万亿韩元，投资新晶圆厂、封装厂和设备” [2]。
该公司于2026年3月向美国证券交易委员会（SEC）提交了上市申请，正式启动了ADR上市程序 [2, 3, 4]。最新报告显示，SK海力士此前已在韩国市场完成了对应的新股发行，以确保与此次美国市场的ADR上市挂钩 [8, 9]。
2026年至今，SK海力士股价在韩国证券市场上涨超过300%，市值于5月突破1万亿美元大关，成为韩国市场重要的科技股之一。今年6月22日，SK海力士市值一度超过三星电子，跃居韩国第一大市值上市公司 [2, 3, 4, 5]。
作为全球领先的高带宽存储器（HBM）供应商，SK海力士截至2025年第四季度在该市场占有约57%的收入份额 [1, 10]。业内分析指出，此次ADR发行意在吸引更多美国投资者，缩小与三星电子及美光科技等同行之间的估值差距 [1, 9, 10]。此次ADR将以1份ADR对应10股普通股的比例进行交易 [7]。
发行动职银行包括美国银行证券、花旗集团、高盛及摩根大通等多家国际投行 [7, 10]。
此外，SK海力士正调整高带宽存储器HBM4产品线的扩展计划，因对英伟达Rubin平台的需求预测有所下降，转而加大对标准DRAM市场的关注 [9, 10]。
